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Las virutas de la alta subida evitan limitaciones convencionales del IC

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Los ingenieros de Stanford crearon una viruta four-layer de la alta subida del prototipo. En esta imagen, la parte inferior y las capas superiores son transistores de la lógica hechos de nanotubes del carbón. Se intercalan entre ellas dos capas de la memoria de acceso aleatorio resistente (RRAM). Los tubos verticales son los “elevadores electrónicos” del nanoscale que conectan lógica y memoria, dejándolas trabajar juntos

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Un equipo de la ingeniería en la Universidad de Stanford ha ideado una manera de mejorar los chips de ordenador haciéndolos más altos. ¿Según el equipo, las virutas actuales sufren de? alambres atasc " cuando los componentes de la lógica y de memoria se exigen demasiado. Su solución--¿agregando capas de lógica encima de la memoria y de usar el nanoscale electrónico? ¿elevadores? para mover datos entre las capas--elimina los embotellamientos creados por los alambres y de tal modo mueve datos más rápidamente usando menos electricidad.

Tomó a equipo tres brechas para poder construir un prototipo four-story de su viruta de la alta subida. El primer construía eficientemente los transistores del carbón-nanotube del nanoscale (CNTs) que se podrían sellar más totalmente que los transistores convencionales actuales--qué electrones del escape, creando calor y perdiendo electricidad. Hasta ahora, CNTs no se podía crecer junto firmemente. Para conseguir alrededor de esta limitación, los ingenieros de Stanford crecieron CNTs en una oblea del cuarzo y después utilizaron un de película metálica que actúa como cinta adhesiva para levantarlo del cuarzo y para transferirlos a una oblea de silicio. Después de que 12 transferencias más similares, ellas hubieran montado uno del arsenal más denso de CNTs hecho nunca, después lo utilizó como la fundación de su viruta de la alta subida. ¿Él? la persona notable de s que el equipo podría hacer esto con el equipo de laboratorio algo que el engranaje sofisticado utilizó en plantas de fabricación comerciales. Por otra parte, demostraron que esta técnica podría construir más de una capa de lógica CNTs.

El equipo de Stanford también subió con un método de construir un nuevo tipo de memoria directamente encima de la capa de CNT. La memoria es un emparedado del metal-óxido-metal del nitruro, del óxido del hafnio, y del platino titanium--no hay silicio. Este emparedado resiste flujo actual en una dirección y lo permite en la dirección opuesta. El cambio de resistente a los estados conductores deja esta nueva memoria --una memoria de acceso aleatorio o un RRAM resistente--cree los ceros digitales y unos. La nueva memoria utiliza menos electricidad que memoria convencional del silicio y se puede construir en temperaturas más bajas, así que es compatible con los procesos y los materiales de fabricación de la alta subida.

La brecha final era millares de la perforación de interconexiones (elevadores de la señal del nanoscale) con las capas de la memoria a las capas de CNTs debajo de ellas. Todo el ésos interconectan eliminan los atascos de las señales comunes en tarjetas de circuito convencionales. No hay manera comparable de agregar interconexiones entre la memoria y la lógica silicio-basadas en las virutas convencionales construidas como altas subidas. ¿Eso? s porque toma las temperaturas tan altas como 1,000°C para crear memoria del silicio, y ése derretirían cualquier componente de la lógica abajo.