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#TI y tecnología - Telecomunicaciones
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Sony propone los transistores de FinFET encima del paladio
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Nuevo método y aparato patentados por Sony Corporation
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La solicitud de patente US20150029374 “sensor de la imagen, aparato de fabricación y método, y aparato de Sony de la proyección de imagen” por Yoshiaki Kitano propone un sensor detrás-iluminado donde por lo menos algo de SF, SEL y RST e incluso los transistores del TG se coloca en una capa crecidos encima del fotodiodo - posiblemente un epi local, aunque Sony no utilice esta palabra. Los transistores están FinFET-como, clase de. Puesto que FinFETs no tiene casi ninguÌn bulto, el aumento de SF debe ser mucho más cercano a la unidad y su casquillo eficaz de la puerta debe ser mínimo. El área del paladio se puede ampliar al área casi entera del pixel:
Actualización: ¿Mientras que somos en las noticias de Sony muchas veces esta semana, WSJ cotiza Masahiro Ono, analista en las seguridades de Morgan Stanley MUFG, decir “Sony? los sensores de la imagen de s son el mejor en el mundo y son por lo menos cuatro años delante de sus competidores.” Si Sony maneja lanzar este pixel de FinFET en la producción, convendría con ése 4 años a continuación de demanda.
